Компания Qualcomm нашла время, чтобы поделиться с нами детальным списком технических характеристик своего нового топового чипсета Snapdragon 845. Он построен по 10-нанометровому техпроцессу, имеет 1.2-гигабитный модуль LTE и поддержку технологии Quick Charge 4/4+. Характеристики Snapdragon 845: 8 ядер Kryo 385 (4 производительные Cortex-A75 с тактовой частотой 2.8 ГГц и 4 энергоэффективные Cortex-A55 с тактовой частотой 1.8 ГГц). Графический ускоритель Adreno 630. Поддержка камер до 32 МП / 16 МП + 16 МП. Поддержка 4K HDR.

Максимальное разрешение VR 2400 на 2400 (2х) при 120 кадрах/с. Wi-Fi 802.11ad (Мультигигабитный) Платформа искусственного интеллекта Hexagon 685 Восемь новых ядер Kryo 385 обеспечивают прирост быстродействия до 25 процентов. Четыре из них являются производительными — Cortex-A75, тогда как остальные четыре построены на архитектуре Cortex-A55, что делает их энергоэффективными. Новый видеоускоритель Adreno 630, по заявлениям производителя, предлагает на 30% лучшую производительность и на столько же лучшее энергопотребление. Построенные на его основе аппараты способны обеспечить 2.5 раза лучшую пропускную способность для внешних дисплеев (VR). Платформа искусственного интеллекта 685 также используется в качестве сопроцессора. Как говорится в пресс-релизе, он в три раза быстрее Hexagon 682, который используется в Snapdragon 835. Обновленная единица вычислений также поддерживает API нейронных сетей, имеющийся в Android 8.1 Oreo. Усовершенствованный модем X20 обеспечивает скоростью передачи мобильных данных до 1.2 Гбит/с. А улучшения для технологии Bluetooth 5.0 позволяют уменьшить потребление энергии на половину. В Qualcomm заявляют, что первые смартфоны на базе Snapdragon 845 появятся в начале следующего года. Скорее всего, первым станет Xiaomi Mi7, но вскоре конкуренцию ему составит Samsung Galaxy S9.
galaxy-droid.ru